外围:美国公司找到芯片提速新方法破解2D微缩关

作者:外围买球app有哪些   |   时间:2020-07-22 08:19   |   浏览:161   


芯东西7月21日消息,周一,美国半导体设备供应商应用材料公司(AppliedMaterials)推出一项构建晶体管和其他金属导线连接的新工艺技术,能够用于提升晶体管连接区域的导电性,进而突破芯片的运算速度瓶颈。

在7nm制造节点,晶体管与导电金属的接触通孔直径只有约20nm,外围买球app有哪些liner-barrier和成核层占据了其中75%的空间,钨金属只能占据剩余25%的空间。细钨丝的接触电阻很高,这阻碍了面积/成本的提升和进一步实现2D微缩。

应用材料公司半导体产品部门副总裁KevinMoraes称:“过去几十年间,业界依靠2D微缩来提升(芯片的)功效和面积/成本。但是今天,(芯片的)几何结构变得如此之小,以至于我们正在逼近传统材料和材料工程技术的极限。”

半导体行业市场研究公司VLSIResearch董事长兼首席执行官DanHutcheson表达了相似的看法,他认为随着EUV到来,我们需要解决一些关键的材料工程挑战来延续2D微缩的发展,“在我们行业,liner-barrier等同于医学中的动脉斑块,使芯片失去了达到最佳性能所需的电子流。应用材料公司的选择性钨沉积是我们一直在等待的突破。”

据了解,应用材料公司提出的选择性钨沉积系统是一个集成材料解决方案,在一个清洁、高真空的环境中结合多种工艺进行。晶圆采用原子级表面处理和独特的沉积工艺,使钨原子选择性地沉积在通孔中、形成完美的自下而上填充、没有分层、接缝和间隙。



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